Propiedades del carburo de silicio

Carburo de silicio de - para estabilidad química, alta conductividad térmica, pequeño coeficiente de expansión térmica, buena resistencia al desgaste, además del uso abrasivo, existen muchos otros usos, tales como: tecnología especial de aplicación de polvo de carburo de silicio a la pared interna del impulsor de la turbina o al cuerpo del cilindro, puede mejorar su resistencia al desgaste y extender su vida útil 1 - 2 veces; Se utiliza para fabricar materiales ignífugos de alta calidad, terremotos resistentes al calor, tamaño pequeño, peso ligero y alta resistencia, el efecto de ahorro de energía es bueno. El carburo de silicio de baja calidad (que contiene aproximadamente un 85 % de SiC) es un excelente desoxidante que puede acelerar la fabricación de acero, controlar fácilmente la composición química y mejorar la calidad del acero. Además, el carburo de silicio también se utiliza ampliamente para fabricar varillas de silicio para células electrotérmicas.
La dureza del carburo de silicio es muy alta, la dureza de Mourinho es 9,5, solo superada por el diamante más duro del mundo (nivel 10), tiene excelentes propiedades de conductividad térmica y es un semiconductor que puede resistir la oxidación a altas temperaturas.
El carburo de silicio tiene al menos 70 tipos cristalinos. -El carburo de silicio es el isómero más común, que se forma a altas temperaturas superiores a 2000 grados y tiene una estructura cristalina de sistema cristalino hexagonal (mineral de fibra de zinc). - El carburo de silicio, una estructura de sistema cristalino cúbico similar al diamante [13], se forma a temperaturas inferiores a 2000 grados. Cuando se utilizan catalizadores heterofásicos - Carburo de silicio de - por su relación - El carburo de silicio tiene un área mayor que la superficie. Existe otro carburo de silicio, μ- El carburo de silicio, el más estable, puede producir sonidos más agradables al chocar. Sin embargo, hasta ahora estos dos tipos de carburo de silicio no se han utilizado comercialmente.
Debido a que la gravedad específica del carburo de silicio es de 3,1 g/cm3 y la temperatura de sublimación es relativamente alta (alrededor de 2700 grados), es ideal como materia prima para rodamientos u hornos de alta temperatura. A cualquier presión alcanzable no se funde y tiene una reactividad química bastante baja. Debido a la alta conductividad térmica del carburo de silicio -, su alta intensidad de campo eléctrico destructivo y su alta densidad de corriente, se ha intentado utilizarlo como una alternativa al silicio, especialmente en celdas semiconductoras de alta potencia. Además, el carburo de silicio tiene una gran afinidad por la radiación de microondas y su punto de elevación lo hace adecuado para calentar metales.
El carburo de silicio puro es incoloro, pero en la producción industrial debido a la presencia de sustancias impuras como el hierro, su color suele ser de marrón a negro. La superficie del cristal tiene un brillo de arco iris de - debido a la formación de una capa protectora de dióxido de silicio.
SiC - es un semiconductor que cambia la estructura del nivel de energía del material de SiC mediante dopaje y ajusta aún más sus propiedades, utilizando principalmente inyección de iones para dopar A, B, N y otros átomos. Entre ellos: - los átomos receptores, como el Al, tienen más probabilidades de reemplazar la posición del Si en la red de SiC, formando un nivel de energía profundo y produciendo un semiconductor de tipo P -; Es más probable que los átomos donantes - como N y P ocupen la posición de la red cristalina C y formen un nivel donante poco profundo para obtener un semiconductor de tipo N -. Vale la pena señalar que el SiC tiene un amplio rango de dopaje (1X1014 - 1X1019 cm- 3), que falta en otros semiconductores de banda ancha, y en este rango es fácil realizar dopaje de tipo N y P, por ejemplo, monocristales de SiC 4H - de baja resistividad después del dopaje con IA.