En electrónica y tecnología de semiconductores, las principales ventajas del SiC son:
Alta conductividad térmica 120-270 W/mK
Bajo coeficiente de expansión térmica 4.0x10^-6/grado
Alta densidad de corriente máxima
La combinación de estas tres características confiere al SiC una conductividad eléctrica superior, especialmente en comparación con el silicio, el primo más popular del SiC. Las características del material de SiC lo hacen muy ventajoso para aplicaciones de alta potencia donde se requieren alta corriente, alta temperatura y alta conductividad térmica.
En los últimos años, el SiC se ha convertido en un actor clave en la industria de los semiconductores, alimentando MOSFET, diodos Schottky y módulos de potencia para su uso en aplicaciones de alta potencia y alta eficiencia. Aunque son más caros que los MOSFET de silicio, que normalmente están limitados a un voltaje de ruptura de 900 V, el SiC puede alcanzar voltajes umbral de casi 10 kV.
El SiC también tiene pérdidas de conmutación muy bajas y puede soportar altas frecuencias operativas, lo que le permite lograr una eficiencia sin igual en la actualidad, especialmente en aplicaciones que operan a voltajes superiores a 600 voltios. Cuando se usan correctamente, los dispositivos de SiC-pueden reducir las pérdidas del sistema de convertidores e inversores en casi un 50 %, el tamaño de - en un 300 % y el costo total del sistema - en un 20 %. Esta reducción en el tamaño total del sistema hace que el SiC sea extremadamente útil en aplicaciones sensibles al peso y al espacio.